内存（Memory）指的是内存存储器，又称为主存，是CPU用来直接寻址和存储的空间，它相当于一座桥梁，用以负责诸如硬盘、主板、显卡等硬件上的数据与处理器之间数据交换处理，我们可以把内存看作数据缓存区，一个高速的缓存区。内存之所以称为内存，是相对于硬盘这些外存而言，我们要用的软件数据都安装存放在外存上，但是当我们运行他们时，就需要把这些软件的数据调入内存，才能运行顺畅，因为CPU和内存间的数据交换速度远高于和外存交换速度。 内存条是由内存芯片、电路板、金手指等部分组成的。
内存分ROM(只读存储器)和RAM(随机存储器)两部分，RAM可以理解为主存，ROM只是很小一部分，比如记录BIOS信息的ROM。而硬盘、U盘等存储设备属于外存，和ROM没有关系。
手机内存256G？所谓的“256G内存”是一个外存储器。不能将“内部的外存储器”简称为”内存，因为内存是一个特定的概念，为内存储器的简称。从手机角度来看，ROM不仅存储手机相关信息，还会存储很多开启启动的软件之类的，一次写入终身读取，手机刷机，并不能改变手机存储的手机型号等固定的信息。手机部分信息在ROM上，ROM又属于内存，因此我们看到卖家展示的手机参数说内存256G等也有一定道理，但严格意义上不对，因为256G中有90%充当的是外存功能。那么说手机ROM256G合适吗？也不合适，ROM只读存储器，可以长期保存信息，都说了只读，256G中有90%都是外存性质，只不过没有合适的名称命名手机中存储器罢了。
随机存取存储器（RandomAccessMemory，RAM），也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写（刷新时除外），而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。RAM工作时可以随时从任何一个指定的地址写入（存入）或读出（取出）信息。它与ROM的最大区别是数据的易失性，即一旦断电所存储的数据将随之丢失。RAM在计算机和数字系统中用来暂时存储程序、数据和中间结果。
所谓“随机存取”，指的是当存储器中的数据被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置或所写入的位置无关。相对的，读取或写入顺序访问（SequentialAccess）存储设备中的信息时，其所需要的时间与位置就会有关系。它主要用来存放操作系统、各种应用程序、数据等。
RAM特点为：访问速度快，数据易失（断电会丢失数据，电容器或多或少有漏电的情形，不断电数据也会随时间流失，因此需要指定期读取电容器的状态，然后按照原来的状态重新为电容器充电，这一过程称为“刷新”），静电敏感性（静电会干扰存储器内电容器的电荷，引致数据流失）。
SRAM与DRMA静态随机存取存储器（Static Random-Access Memory，SRAM）是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下，动态随机存取存储器（DynamicRandomAccessMemory，DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失（被称为volatilememory），这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。
SRAM有它的缺点，即它的集成度较低，功耗较DRAM大 ，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM显得更贵。
ROMROM是readonlymemory的简称，表示只读存储器。只读存储器（ROM）是一种在正常工作时其存储的数据固定不变，其中的数据只能读出，不能写入，即使断电也能够保留数据，要想在只读存储器中存入或改变数据，必须具备特定的条件。
ROM主要分为掩膜ROM（专用掩膜板）、PROM（可一次性编程ROM）、EPROM（紫外线擦除可改写ROM）、EEROM（电擦除可改写ROM）、flashROM（快闪ROM）等几类。
FLASH闪存FLASH闪存是属于内存器件的一种，"Flash"。闪存则是一种非易失性（Non-Volatile）内存，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。
Flash是非挥发性随机存取存储器（NVRAM），它可以作为缓存或作为直接存储的底层设备。虽然比动态随机存储器（DRAM）慢10倍，但尽管这样，它还比硬盘快得多。它的速度和耐用性，让写操作变得比直接写硬盘快很多。将FLASH作为一个持续的高速缓存，再让它慢慢的写回磁盘作永久数据保存。
NANDFlash的读写以page为单位，在写入前(在这里称之为编程)，需要先擦除，擦除以block为单位，这些操作都会减少器件的寿命。由于NANDFlash的这种特性，使得它在编程时带来了写放大的副作用，并且管理算法更复杂，例如需要垃圾回收算法。所以一般我们对NANDFlash编程的步骤是，先把其中的有效数据page搬移到内存或者其他block中，然后擦除这个block，再把有效数据和新数据写回去。这个过程造成了多余的写入和擦除，这就是所谓的写放大。
NANDFlash一般不单独使用，需要和专用控制器搭配组成一个系统。目前常见的使用NANDFlash的产品主要有固态硬盘(SSD),eMMC,SD记忆卡，U盘等。其中SSD和eMMC稳定性和性能要求比较高，一般需要使用品质优良的NANDFlash。
在计算机诞生初期并不存在内存条的概念，最早的内存是以磁芯的形式排列在线路上。
后来才出线现了焊接在主板上集成内存芯片，以内存芯片的形式为计算机的运算提供直接支持。
内存芯片的状态一直沿用到286初期，鉴于它存在着无法拆卸更换的弊病，这对于计算机的发展造成了现实的阻碍。有鉴于此，内存条便应运而生了。将内存芯片焊接到事先设计好的印刷线路板上，而电脑主板上也改用内存插槽。这样就把内存难以安装和更换的问题彻底解决了。
是内存颗粒内部存储单元的工作频率，即电容的刷新频率。它是内存工作的基础频率，其他频率都是建立在它基础之上的。
时钟频率又称内存总线频率，它是主板时钟芯片提供给内存的工作频率。
等效频率又称等效数据传输频率，它是内存与外界据交换的实际频率。通常内存标签上贴的就是等效效率。
SDRAM同步动态随机存储器（SynchronousDynamic RAM），采用3.3V工作电压，内存数据位宽64位，SDRAM与CPU通过一个相同的时钟频率锁在一起，使两者以相同的速度同步工作。SDRAM内存有以下几种：PC66/100/133150/166，核心频率分别为66MHz，100Mz133MHz，150MHz，166MHz。时钟频率、等效频率与核心频率相等单根 SDRAM内存数据传输带宽最高为166MHz×64bit÷8=1.3GB/s。
DDR双倍速率同步动态随机存储器（DoubledataRateSDRAM，DDRSDRAM，简称DDR），采用2.5V工作电压，内存数据位宽64位，一个时钟脉冲传输两次数据，分别在时钟脉冲的上升沿和下降沿各传输一次数据，因此称为双倍速率的SDRAM。
DDR内存金手指为184脚。DDR内存有以下几种:：DDR200/266/333400/500。核心频率与时钟频率相等，分别为100MHz，133MHz，166MHz，200MHz，250MHz，等效频分别为200MHz，266MHz，333MHz，400MHz，500MHz，请注意， DDR内存的等效频率是时钟频率的两倍，因为DDR内存是双倍速率工作的。DDR内存核心采用2位数据预读取，也就是一次(一个脉冲)取2位。
单根DDR内存数据传输带宽最高为500MHz×64bit8-4GB/s。
DDR2DDR2(DoubleDataRate2 SDRAM)采用1.8V工作电压，内存数据位宽64位。DDR2内存和DDR内存一样，一个时钟脉冲传输两次数据，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存的预读取能力，即4位数据预读取。
DDR2内存金手指为240脚。DDR2内存有以下几种:DDR2533/667/800/066。核心频率分别为133MHz，166MHz，200MHz，266MHz，时钟频率分别为:266MHz，333MHz，400MHz，533MHz，等效频率分别为533MHz，667MHz，800MHz，1066MHz。
单根DDR2内存的数据传输带宽最高为1066MH2zX64bit8-8.6GB/s。
DDR3DDR3(DoubleDataRate3 SDRAM)采用1.5V工作电压，内存数据位宽64位。同样， DDR3内存拥有两倍于上一代DDR2内存的预读取能力，即8位数据预读取。
DDR3内存有以下几种:DDR31066/1333/1600/1800/2000。核心频率分别为133MHz，166MHz，200MHz，225MHz，250MHz，时钟频率分别分533MHz，667MHz，800MHz，900MHz，1000MHz，等效频率分别为:1066MHz，1333MHz，1600MHz，1800MHz，2000MHz。
单根DDR3内存的数据传输带宽最高为2000MHz×64bit÷8-16GB/s。
DDR4DDR4(DoubleDataRate4 SDRAM)采用1.2V工作电压，内存数据位宽64位，16位数据预读取。取消双通道机制，一条内存即为一条通道。工作频率最高可达4266MHz。
单根DDR4内存的数据传输带宽最高为34GB/s。
为什么显卡都是DDR5内存，电脑内存才DDR4？显卡用的是GDDR5，G就是graphic也就是图形的意思显存是为图形处理器特殊定制和打造的，另外显存与图形处理器之间使用的是固化连接，自然可以提供比插接更高的频率，另外还可以根据不同的GPU来定制合适的显存另外GDDR5已经是DDR3时代的产物，随着内存进入DDR4时代相信下一代显存也快要来了。
双列直插内存芯片（Dualn-LinePackage，DIP），它的常见单片容量有256KB，IMB等几种。但现在内存发展这么快，哪里还会是几百KB和几兆容量的内存?因此DIP接口早已经是淘汰了的内存接口。在SIMM和DIMM接口类型的内存条上，多个RAM芯片焊在一块小电路板上，通过专用插座装在主板或内存扩充板上，因此它们也可以看作是一个内存芯片。
SIMM单列直插内存模块（Singleln-LineMemoryModule，SIMM），这是5x86及较早的PC机中常用的内存接口方式。在更早的PC机中(486以前)，多采用30针的SIMM接口，而在Pentium级别的机器中，应用